Infineon IKD06N60RF IGBTトランジスタ IGBT製品 トレンチストップ
メーカーInfineon(このブランドの他の製品を見る)
ModelIKD06N60RF
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Width: 6.22 mm
Height: 2.41 mm
Length: 6.73 mm
Technology: Si
Unit Weight: 333 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 100 W
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.65 V
Continuous Collector Current at 25 C: 12 A
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