Infineon IPD60R360PFD7SAUMA1 MOSFETs コンシューマー
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ModelIPD60R360PFD7SAUMA1
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Fall Time: 13 ns
Rise Time: 11 ns
Technology: Si
Unit Weight: 4 g
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 12.7 nC
Moisture Sensitive: Yes
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 43 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 13.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 46 ns
Id - Continuous Drain Current: 10 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 715 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
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