Infineon IRFB5615PBFXKMA1 MOSFETトレンチ >=100V
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ModelIRFB5615PBFXKMA1
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Fall Time: 13.1 ns
Rise Time: 23.1 ns
Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
Mounting Style: Through Hole
Qg - Gate Charge: 26 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 144 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 8.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 17.2 ns
Id - Continuous Drain Current: 35 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 39 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5 V
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