InterFET J175 JFET Pチャネル 30V 低ノイズ
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ModelJ175
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Technology: Si
Unit Weight: 453.600 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: P-Channel
Pd - Power Dissipation: 360 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: 6 V
Drain-Source Current at Vgs=0: - 70 mA
Id - Continuous Drain Current: - 10 nA
Rds On - Drain-Source Resistance: 85 Ohms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: - 15 V
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