IXYS IXBH42N170 IGBTトランジスタ 1700V 75A
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ModelIXBH42N170
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Width: 5.3 mm
Height: 21.46 mm
Length: 16.26 mm
Technology: Si
Unit Weight: 6.500 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 360 W
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 75 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.8 V
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
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