IXYS IXBK55N300 IGBTトランジスタ TO264 3KV 55A BIMOSFET
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ModelIXBK55N300
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Width: 5.31 mm
Height: 26.59 mm
Length: 20.29 mm
Technology: Si
Unit Weight: 7.500 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 625 W
Gate-Emitter Leakage Current: +/- 200 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 25 V, 25 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 3 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 130 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.2 V
Continuous Collector Current at 25 C: 130 A
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