IXYS IXBT10N170 IGBTトランジスタ 10アンペア 1700V 2.3 Rds
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ModelIXBT10N170
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Width: 14 mm
Height: 5.1 mm
Length: 16.05 mm
Technology: Si
Unit Weight: 4.500 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 140 W
Operating Temperature Range: - 55 C to + 150 C
Continuous Collector Current: 20 A
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 40 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.4 V
Continuous Collector Current at 25 C: 20 A
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