IXYS IXBT42N300HV IGBTトランジスタ TO268 3KV 42A IGBT
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ModelIXBT42N300HV
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Technology: Si
Unit Weight: 4 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Moisture Sensitive: Yes
Pd - Power Dissipation: 500 W
Gate-Emitter Leakage Current: +/- 200 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 25 V, 25 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 3 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 104 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3 V
Continuous Collector Current at 25 C: 104 A
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