IXYS IXDN75N120 IGBTトランジスタ 75アンペア 1200V
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ModelIXDN75N120
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Width: 25.07 mm
Height: 9.6 mm
Length: 38.2 mm
Technology: Si
Unit Weight: 30 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 660 W
Continuous Collector Current: 150 A
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 150 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C: 150 A
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