IXYS IXGK50N90B2D1 IGBTトランジスタ 50アンペア 600V 3 Rds
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ModelIXGK50N90B2D1
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Width: 5.13 mm
Height: 26.16 mm
Length: 19.96 mm
Technology: Si
Unit Weight: 10 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 900 V
Continuous Collector Current Ic Max: 75 A
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