IXYS IXGN200N60B3 IGBTトランジスタ Gシリーズ A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 200A
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ModelIXGN200N60B3
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Width: 25.42 mm
Height: 9.6 mm
Length: 38.23 mm
Technology: Si
Unit Weight: 30 g
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 830 W
Operating Temperature Range: - 55 C to + 150 C
Continuous Collector Current: 300 A
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Continuous Collector Current Ic Max: 1.2 kA
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 300 A
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