IXYS IXLF19N250A IGBTトランジスタ 高電圧IGBT 2500V; 19A
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ModelIXLF19N250A
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Width: 5.03 mm
Height: 20.88 mm
Length: 19.91 mm
Technology: Si
Unit Weight: 9 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 250 W
Operating Temperature Range: - 55 C to + 150 C
Continuous Collector Current: 32 A
Gate-Emitter Leakage Current: 500 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 2.5 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 70 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.2 V
Continuous Collector Current at 25 C: 32 A
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