IXYS IXTP130N10T MOSFETs MOSFET Id130 BVdass100
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ModelIXTP130N10T
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Width: 4.82 mm
Height: 9.15 mm
Length: 10.66 mm
Fall Time: 28 ns
Rise Time: 47 ns
Technology: Si
Unit Weight: 2 g
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Type: 1 N-Channel
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 360 W
Typical Turn-On Delay Time: 30 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 44 ns
Id - Continuous Drain Current: 130 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 93 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 8.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
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