IXYS IXYT30N450HV IGBTトランジスタ TO268 4500V 30A XPT
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ModelIXYT30N450HV
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Moisture Sensitive: Yes
Pd - Power Dissipation: 430 W
Gate-Emitter Leakage Current: 200 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 4.5 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 200 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.9 V
Continuous Collector Current at 25 C: 60 A
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