IXYS MIXG120W1200TEH IGBTモジュール IGBTモジュール - シックスパック E3パック
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ModelMIXG120W1200TEH
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Technology: Si
REACH - SVHC: Details
Configuration: 6-Pack
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 625 W
Gate-Emitter Leakage Current: 500 nA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C: 186 A
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