MACOM CGHV31500F GaN FET 500W、GaN HEMT、50V、2.7-3.1GHz、パルス
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ModelCGHV31500F
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Gain: 12.5 dB
Technology: GaN
Output Power: 705 W
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Transistor Type: GaN HEMT
Moisture Sensitive: Yes
Transistor Polarity: N-Channel
Maximum Operating Frequency: 3.1 GHz
Minimum Operating Frequency: 2.7 GHz
Id - Continuous Drain Current: 24 A
Maximum Operating Temperature: + 125 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 3 V
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