Micro Commercial Components (MCC) MCQD08N03B-TP MOSFET（モスフェット）
ModelMCQD08N03B-TP
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Fall Time: 13.7 ns
Rise Time: 28.3 ns
Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 16.3 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 1.6 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Typical Turn-On Delay Time: 5.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 24.8 ns
Id - Continuous Drain Current: 8 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.5 V
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