Micro Commercial Components (MCC) MSJP14N65A-BP MOSFET（モスフェット）
ModelMSJP14N65A-BP
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Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
Mounting Style: Through Hole
Qg - Gate Charge: 25.9 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 147 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Id - Continuous Drain Current: 14 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 230 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.2 V
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