Microchip Technology 2N2369AUA/TR BJTs - バイポーラトランジスタ 15V 200mA 680mW NPN 小信号BJT SMT TR
Model2N2369AUA/TR
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 360 mW
DC Current Gain hFE Max: 120
Emitter- Base Voltage VEBO: 4.5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 40
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 15 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 450 mV
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