Microchip Technology 2N2905Ae3 BJTs - バイポーラトランジスタ 60V 600mA 800mW NPN 無鉛 小信号 BJT THT
Model2N2905Ae3
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Technology: Si
Unit Weight: 1 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 800 mW
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Continuous Collector Current: 600 mA
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 75
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
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