Microchip Technology 2N328A BJTs - バイポーラトランジスタ 小信号BJT
Model2N328A
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 250 mW
Emitter- Base Voltage VEBO: 20 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Continuous Collector Current: - 100 mA
Maximum Operating Temperature: + 165 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 35 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
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