Microchip Technology 2N3634UB/TR BJTs - バイポーラトランジスタ 140V 1A 1W 3ピン CER 小信号BJT THT TR
Model2N3634UB/TR
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 1 W
DC Current Gain hFE Max: 150
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 140 V
Continuous Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 25
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 140 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV
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