Microchip Technology 2N3810U BJTs - バイポーラトランジスタ 60V 50mA 350mW デュアル小信号BJT SQ SMT
Model2N3810U
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Technology: Si
Unit Weight: 12.838 g
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Maximum DC Collector Current: 50 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
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