Microchip Technology 2N5415S BJTs - バイポーラトランジスタ 200 V パワーBJT
Model2N5415S
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 750 mW
DC Current Gain hFE Max: 120 at 50 mA, 10 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 200 V
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30 at 50 mA, 10 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2 V
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