Microchip Technology 2N5783 BJTs - バイポーラトランジスタ パワーBJT
Model2N5783
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Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 10 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 3.5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 45 V
Maximum DC Collector Current: 3.5 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
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