Microchip Technology APT200GN60B2G IGBTトランジスタ IGBTフィールドストップ 低周波 単一 600 V 200 A TO-247 MAX
ModelAPT200GN60B2G
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Technology: Si
Unit Weight: 38 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 682 W
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.45 V
Continuous Collector Current at 25 C: 283 A
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