Microchip Technology APT200GN60J IGBTモジュール IGBTフィールドストップ 低周波 単相 600 V 200 A SOT-227
ModelAPT200GN60J
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Width: 25.4 mm
Height: 9.6 mm
Length: 38.2 mm
Technology: Si
Unit Weight: 30 g
Configuration: Single
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 682 W
Operating Temperature Range: - 55 C to + 175 C
Gate-Emitter Leakage Current: 600 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 283 A
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