Microchip Technology APT25GN120SG IGBTトランジスタ IGBTフィールドストップ 低周波 単一 1200 V 25 A TO-268
ModelAPT25GN120SG
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Width: 13.99 mm
Height: 5.08 mm
Length: 16.05 mm
Technology: Si
Unit Weight: 6 g
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 272 W
Operating Temperature Range: - 55 C to + 150 C
Continuous Collector Current: 67 A
Gate-Emitter Leakage Current: 600 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 30 V, 30 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 67 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C: 67 A
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