Microchip Technology APT43GA90BD30 IGBTトランジスタ IGBT PT MOS 8 コンビ 900 V 43 A TO-247
ModelAPT43GA90BD30
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Width: 16.26 mm
Height: 5.31 mm
Length: 21.46 mm
Technology: Si
Unit Weight: 38 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 337 W
Operating Temperature Range: - 55 C to + 150 C
Continuous Collector Current: 78 A
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 30 V, 30 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 900 V
Continuous Collector Current Ic Max: 78 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 78 A
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