Microchip Technology APT64GA90LD30 IGBTトランジスタ IGBT PT MOS 8 コンビ 900 V 64 A TO-264
ModelAPT64GA90LD30
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Width: 20.5 mm
Height: 5.21 mm
Length: 26.49 mm
Technology: Si
Unit Weight: 10.600 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 500 W
Operating Temperature Range: - 55 C to + 150 C
Continuous Collector Current: 117 A
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 900 V
Continuous Collector Current Ic Max: 117 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C: 117 A
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