Microchip Technology ICPB1020-1-110I GaN FETs DC-14 GHz 100W ディスクリート GaN HEMT
ModelICPB1020-1-110I
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Technology: GaN
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: GaN HEMT
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 112 W
Maximum Drain Gate Voltage: 80 V
Maximum Operating Frequency: 14 GHz
Minimum Operating Frequency: 0 Hz
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