Microsemi Jantx2N1711S BJTs - バイポーラトランジスタ 75V 500mA 800mW NPN ショートリードパワーBJT THT
メーカーMicrosemi(このブランドの他の製品を見る)
ModelJantx2N1711S
お問い合わせ
安全なチェックアウト
高品質な対応
簡単な交換・返品
配送対応可能
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 3 W
DC Current Gain hFE Max: 300 at 150 mA, 10 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Collector- Base Voltage VCBO: 75 V
Continuous Collector Current: 500 mA
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 20 at 10 uA, 10 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
お得な情報を受け取る
数量割引、まとめ買い価格の更新、新製品情報をメールでお届けします。
登録することで、当社の利用規約およびプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
クイックサポート
認定専門家へ直接アクセス