Microsemi Jantx2N6213 ダーリントントランジスタ パワーBJT
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ModelJantx2N6213
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Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 35 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Maximum Operating Frequency: 5 MHz
Collector- Base Voltage VCBO: 400 V
Continuous Collector Current: 2 A
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 4
Maximum Collector Cut-off Current: 15 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 350 V
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