Nexperia MJD31CJ BJTs - バイポーラトランジスタ MJD31C/SOT428/DPAK
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ModelMJD31CJ
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Technology: Si
Unit Weight: 316.353 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 15 W
DC Current Gain hFE Max: 50
Gain Bandwidth Product fT: 3 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Continuous Collector Current: 3 A
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 10
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.2 V
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