Nexperia MJD42CJ BJTs - バイポーラトランジスタ 80 V、8 A NPN 高出力バイポーラトランジスタ
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ModelMJD42CJ
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Technology: Si
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 15 W
Gain Bandwidth Product fT: 3 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Continuous Collector Current: 6 A
Maximum DC Collector Current: 6 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30 at 0.3 mA, 4 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
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