Nexperia NP100T12P2T3Z IGBTモジュール 0.5 Vから1.0 V、ピーク1.5 A、11 mΩ、ロードスイッチ
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ModelNP100T12P2T3Z
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Technology: Si
Mounting Style: Screw Mount
Pd - Power Dissipation: 20 mW
Gate-Emitter Leakage Current: 500 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.65 V
Continuous Collector Current at 25 C: 100 A
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