Nexperia PHPT610030PKX BJTs - バイポーラトランジスタ NPN/NPN 高出力ダブルバイポーラトランジスタ
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ModelPHPT610030PKX
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Width: 4.7 mm
Height: 1.05 mm
Length: 5.3 mm
Technology: Si
Unit Weight: 96.600 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 25 W
DC Current Gain hFE Max: 220 at - 500 mA
Gain Bandwidth Product fT: 125 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 8 V
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Continuous Collector Current: - 3 A
Maximum DC Collector Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 220 mV
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