Nexperia PSMN1R8-80SSFJ MOSFET Nチャネル 40 V、1.9 mΩ、200 A 標準レベル MOSFET、LFPAK56パッケージ、optimizedNextPowerS3 Schottky-Plus技術使用
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ModelPSMN1R8-80SSFJ
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Fall Time: 45 ns
Rise Time: 33 ns
Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 148 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 341 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 40 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 90 ns
Id - Continuous Drain Current: 270 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 80 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
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