NXP A5G35S008NT6 RFパワーMOSFET Airfast RFパワーGaNトランジスタ、3300-3800 MHz、27 dBm平均、48 V
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ModelA5G35S008NT6
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Gain: 27 dB
Technology: GaN-on-Si
Mounting Style: SMD/SMT
Moisture Sensitive: Yes
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: - 16 V
Maximum Operating Frequency: 3.8 GHz
Minimum Operating Frequency: 3.3 GHz
Id - Continuous Drain Current: 1.52 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 125 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 2.5 V
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