NXP MMRF1304GNR1 RFパワーMOSFET 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
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ModelMMRF1304GNR1
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Gain: 27 dB
Technology: Si
Unit Weight: 548 mg
Output Power: 25 W
REACH - SVHC: Details
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: LDMOS FET
Moisture Sensitive: Yes
Number of Channels: 1 Channel
Operating Frequency: 1.8 MHz to 2 GHz
Transistor Polarity: N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: + 10 V
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 133 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
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