onsemi 2SD1628G-TD-E BJTs - バイポーラトランジスタ バイポーラトランジスタ、20V、5A、低VCE(sat)、NPNシングルPCP hFE 280-560
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Model2SD1628G-TD-E
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Technology: Si
Unit Weight: 51.670 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 500 mW
DC Current Gain hFE Max: 560 at 500 mA, 2 V
Gain Bandwidth Product fT: 120 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
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