onsemi 2SD1803S-TL-H BJTs - バイポーラトランジスタ BIP NPN 5A 50V
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Model2SD1803S-TL-H
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Technology: Si
Unit Weight: 1.800 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 1 W
Gain Bandwidth Product fT: 180 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Continuous Collector Current: 5 A
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 70
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 220 mV
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