onsemi D44H11G BJTs - バイポーラトランジスタ 10A 80V 50W NPN
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ModelD44H11G
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Width: 4.83 mm
Height: 15.75 mm
Length: 10.53 mm
Technology: Si
Unit Weight: 6 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 70 W
Gain Bandwidth Product fT: 50 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Continuous Collector Current: 10 A
Maximum DC Collector Current: 10 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
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