onsemi MJ11016G ダーリントントランジスタ 30A 120V バイポーラパワーNPN
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ModelMJ11016G
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Width: 26.67 mm
Height: 8.51 mm
Length: 39.37 mm
Unit Weight: 11.793 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 200 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 120 V
Continuous Collector Current: 30 A
Maximum DC Collector Current: 30 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200, 1000
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 120 V
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