onsemi MJD210G BJTs - バイポーラトランジスタ 5A 25V 12.5W PNP
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ModelMJD210G
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Width: 6.22 mm
Height: 2.38 mm
Length: 6.73 mm
Technology: Si
Unit Weight: 454 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 1.4 W
Gain Bandwidth Product fT: 65 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 8 V
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Continuous Collector Current: 5 A
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 70
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V
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