onsemi MJF15030G BJTs - バイポーラトランジスタ 8A 150V 36W NPN
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ModelMJF15030G
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Width: 4.9 mm
Height: 9.24 mm
Length: 10.63 mm
Technology: Si
Unit Weight: 2.300 g
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 36 W
Gain Bandwidth Product fT: 30 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 150 V
Continuous Collector Current: 8 A
Maximum DC Collector Current: 8 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 20
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 150 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
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