onsemi MMJT350T1G BJTs - バイポーラトランジスタ 0.5A 30V 2.75W PNP
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ModelMMJT350T1G
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Width: 3.5 mm
Height: 1.57 mm
Length: 6.5 mm
Technology: Si
Unit Weight: 112 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 2.75 W
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 300 V
Continuous Collector Current: 500 mA
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 300 V
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