onsemi NSS40600CF8T1G BJTs - バイポーラトランジスタ LOW VCES 40V PNP
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ModelNSS40600CF8T1G
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Width: 1.65 mm
Height: 1.05 mm
Length: 3.05 mm
Technology: Si
Unit Weight: 11.780 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 1.4 W
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Continuous Collector Current: - 6 A
Maximum DC Collector Current: 6 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 250
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 180 mV
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