onsemi NSVMSD601-RT1G BJTs - バイポーラトランジスタ SS SC59 GP XSTR NPN PB FR
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ModelNSVMSD601-RT1G
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Technology: Si
Unit Weight: 11.030 mg
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
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