onsemi NSVS50030SB3T1G BJTs - バイポーラトランジスタ BIP PNP 3A 50V 自動車用
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ModelNSVS50030SB3T1G
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Technology: Si
Unit Weight: 12.750 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 1.1 W
DC Current Gain hFE Max: 560
Gain Bandwidth Product fT: 360 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Continuous Collector Current: - 3 A
Maximum DC Collector Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 185 mV
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